TecChannel.de: "IBM Research hat einen Kapazitäts-Durchbruch bei dem als Flash-Nachfolger gehandelten Phasenwechsel-Speicher (Phase-change Memory, PCM) bekannt gegeben. Forschern ist es erstmals gelungen, ähnlich wie bei Flash durch MLC-Technologie (Multi-Level-Cell) mehrere Bits pro Zelle zu speichern. Mehr"
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http://www.tecchannel.de/storage/news/2036286/ibm_schafft_durchbruch_bei_phasenwechsel_speicher/
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